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반도체/디스플레이
Deposition과 Etching 기술은 반도체 및 디스플레이 산업에서 매우 중요한 역할을 하는 핵심 공정 기술입니다.
CVD (Chemical Vapor Deposition)
기체나 액체상태의 전구체를 이용하여 화학반응을 통한 반응 생성물을 기판의 표면에 증착 시키는 공정기술 입니다.
이 기술은 반도체, 디스플레이 등 전자 산업 분야에 사용되며,
주로 SiO2, Si3N4, TiN, Al2O3 박막 등의 산화물, 질화물 및 금속 박막 등을 생성 하는데 사용됩니다.
ALD (Atomic Layer Deposition)
CVD공정 기술에서 발전된 형태의 증착 기술로서, 정밀한 박막층의 형성을 위하여
서로 반응하는 가스나 전구체(Precursor)를 번갈아 가면서 제공하여, 박막을 정밀하게 형성하는 기술입니다.
반도체 및 디스플레이 분야에서 나노 구조물의 표면에 원자층 단위로 균일하게 박막을 형성하는 높은 정밀도를 요구하는 공정에
주로 사용됩니다.
ALD기술은 전자기기에 사용되는 최첨단 차세대 반도체 소자의 제작에 많이 사용되고 있습니다.
ALE (Atomic Layer Etching)
ALE 공정기술은 반도체 소자의 구조가 정밀화 되고, 복잡하며, 3차원 구조화 되면서 정교한 식각이 요구되는 공정에 필요한
최신 기술입니다. ALD공정과 마찬가지로 반복적인 공정을 통하여, 원자층 단위로 유전체나 고체 박막을 제거합니다.
먼저는 반응성 화학물질을 통하여 표면을 개질화(Modification)하고, 개질화된 표면에 특정 전구체를 도입하여 반응을 유도한 후,
마지막으로 열이나 에너지를 가진 플라즈마 이온으로 반응된 층을 제거 합니다.
이러한 과정을 여러 번 반복하여 원하는 두께만큼 박막을 정밀하게 제거합니다. 높은 정밀도로 차세대 반도체 공정의 핵심기술로
평가받고 있습니다.
Cryogenic Etching
Cryogenic Etching은 고종횡비 (High Aspect Ratio, HAR)가 요구되는 고정밀 식각공정에 필요한 기술로서,
공정 중 웨이퍼의 온도를 -80°C ~ 0 °C로 냉각하여 식각 대상물질의 뛰어난 etching profile을 제공하는 기술입니다.
당사는 극저온 대응용 독자적 진공 하부구조를 가지는 플라즈마 식각장비를 제공합니다.
오스 주식회사는 반도체 및 디스플레이 생산 공정의 핵심 요소인 CVD, ALD, Etch, ALE, Cryogenic Etching 등
최신 기술에 대한 이해와 활용 능력에 높은 경쟁력을 보유하고 있습니다.
